Надіслати статтю
вул. Інститутська 11, м. Хмельницький, 29016

МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ ДІАГНОСТУВАННЯ СХЕМ ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ’ЯТІ З ДОВІЛЬНИМ ДОСТУПОМ

MATHEMATICAL MODEL FOR THE TEST DIAGNOSTIC PROCESS OF RANDOM ACCESS MEMORY SCHEME

Сторінки: 99-101. Номер: №2, 2019 (271)
Автори:
Р. Л. ГАВРИЛЮК, Р. В. КРАВЧУК, В. О. ФЕРЕНС, В. М. ЧЕШУН
Хмельницький національний університет
R. L. HAVRYLIUK, R. V. KRAVCHUK, V. O. FERENS, V. M. CHESHUN
Khmelnytskyi National University
DOI: https://www.doi.org/10.31891/2307-5732-2019-271-2-99-101
Рецензія/Peer review : 24.02.2019 р.
Надрукована/Printed : 10.04.2019 р.

Анотація мовою оригіналу

В роботі наведено опис математичної моделі для організації тестового діагностування схем оперативної пам’яті з довільним доступом із комбінованим застосуванням трьох тестів в прямій та інверсній реалізаціях: “шахового”, “чергування рядків 0/1” і “чергування стовпців 0/1”.
Ключові слова: математична модель, оперативна пам’ять з довільним доступом, тестове комбіноване діагностування, технічна діагностика.

Розширена анотація англійською мовою

Increasing the internal complexity of modern discrete electronic components, including random access memory schemes, complicates the process of their verification. This leads to a reduction in the effectiveness of intuitive testing methods and the need for clearly formalized diagnostic methods based on the use of adequate mathematical models. The article describes a mathematical model based on the main provisions of technical diagnostics, the theory of test diagnostics, the theory of sets and matrices. It is designed to create fault models and models of tests in the implementation of combined diagnosis of random access memory schemes with the combined use of basic tests in direct and inverse implementations: test “chess”, test “lines zero/one” and test “columns zero/one”.  Also, the model can be used to describe other variants of memory schemes tests. The models are based on the use of matrix models of memory schemes and formalized descriptions of operations of access to memory for recording and readings. The proposed mathematical model is intended to adequately reflect the important parameters of the diagnostic experiment, the peculiarities of the tests, ensure predictability and reliability of the results.
Key words: mathematical model, random access memory, combined diagnostic test, technical diagnostics.

Referenses

  1. Jarmolik V.N. Obzor metodov nerazrushajushhego testirovanija OZU / V.N. Jarmolik, A.P. Zankovich // Doklady BGUIR. – Minsk : BGUIR, 2005. – № 4 (12) – S. 62–72.
  2. Ivanjuk A.A. Metody optimizacii mikrokoda vstroennoj apparatury samotestirovanija OZU / A.A. Ivanjuk, A.A. Avtushko // Doklady BGUIR. – Minsk : BGUIR, 2010. – № 3 (49). – S. 104–110.
  3. Jarmolik V.N. Psevdoischerpyvajushhee testirovanie zapominajushhih ustrojstv na baze mnogokratnyh marshevyh testov / V.N. Jarmolik, I. Mrozek, V.A. Levancevich // Informatika. – 2018. – T. 15, № 1. – S. 110–121.
  4. Wu Chi-Feng Fault simulation and test algorithm generation for random access memories / Chi-Feng Wu, Chih-Tsun Huang, Kuo-Liang Cheng, Cheng-Wen Wu // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. – 2002. – Vol. 21, Issue 4. – R. 480–490.
  5. Li Jin-Fu March-based RAM diagnosis algorithms for stuck-at and coupling faults / Jin-Fu Li, Kuo-Liang Cheng, Chih-Tsun Huang, Cheng-Wen Wu // IEEE Trans. on Fuzzy Systems. – 2002. – Vol. 10, Issue 2. – R. 155–170.

Post Author: npetliaks

Translate