Магніточутливий сенсор на основі гетерометалевої комплексної сполуки

МАГНІТОЧУТЛИВИЙ СЕНСОР НА ОСНОВІ ГЕТЕРОМЕТАЛЕВОЇ КОМПЛЕКСНОЇ СПОЛУКИ

MAGNETICALLY SENSITIVE SENSOR BASED ON HETEROMETAL COMPLEX COMPOUND

Сторінки: 97-101. Номер: №3, 2019 (273)
Автори:
О.В. ОСАДЧУК, В.В. МАРТИНЮК, М.В. ЄВСЄЄВА, О.О. СЕЛЕЦЬКА
Вінницький національний технічний університет
O.V. OSADCHUK, V.V. MARTINYUK, M.V. EVSEEVA, O.O. SELETSKA
Vinnytsia National Technical University
DOI: https://www.doi.org/10.31891/2307-5732-2019-273-3-97-101
Рецензія/Peer review : 22.03.2019 р.
Надрукована/Printed : 02.06.2019 р.

Анотація мовою оригіналу

Cинтезовано матеріал µ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилацетонат, такого складу: Cu₃Bi(AA)₄(OCH₃)₅, де HAA = H₃C–C(O)–CH₂–C(O)–CH₃, проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки основних фізичних параметрів даного матеріалу. Доведено, що даний матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків. Отримано залежності концентрації носіїв заряду та сталої Холла від температури. В діапазоні температур від  50°С  до 220°С концентрація носіїв заряду зростає від 8,21·10²³ м^-3 до 4,36·10³⁵м^-3, а стала Холла зменшується від 8,9·10^-6 м³·Кл^-1 до 1,6·10^-17 м³·Кл^-1. Отримано залежності напруги Холла та напруженості електричного поля, всередині пластини розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, від індукції магнітного поля.
Ключові слова: індукція, магнітне поле, концентрація, напівпровідник, гетерометалеві комплексні сполуки.

Розширена анотація англійською мовою

The synthesis of the material μ-methoxy (cupram(II), bismuth(III)) acetylacetonate, composition Cu₃Bi (AA)₄ (OCH₃)₅, where
HAA = H₃C-C (O) –CH₂-C (O) –CH₃, experimental measurements and theoretical calculations of the basic physical parameters of this material are carried out. It is proved that this material is a semiconductor, and with the carriers of the charge of both signs. The dependences of the concentration of charge carriers and the constant Hall on temperature are obtained. In the temperature range from 50 ° C to 220 ° C, the concentration of charge carriers increases from 8,21·10²³  m^-3 to 4,36·10³⁵ m^-3, and the Hall’s value decreases from 8,9·10^-6 m³·Cl^-1 to 1,6·10^-17 m³·Cl^-1. The dependences of the Hall voltage and the intensity of the electric field, in the middle of the plate 0,5 × 0,5 × 0,15 mm, on the induction of the magnetic field were obtained.
Key words: induction, magnetic field, concentration, semiconductor, heterometal coordination compounds.

References

1. Osadchuk V.S. Sensory tysku i mahnitnoho polia / V. S. Osadchuk, O. V. Osadchuk. – Vinnytsia : «Universum-Vinnytsia», 2005. – 207 s.
2. Osadchuk O. V. Peretvoriuvach mahnitnoho polia na osnovi mahnitochutlyvoho dioda ta aktyvno-induktyvnoho elementa / [O.V. Osadchuk, V. V. Martyniuk, O. M. Zhahlovska, L. V. Krylyk] // Vymiriuvalna ta obchysliuvalna tekhnika v tekhnolohichnykh protsesakh. – 2017. – № 1. – S. 93–98.
3. Osadchuk V.S. Sensory mahnitnoho polia na osnovi polovykh tranzystoriv / V. S. Osadchuk, O. V. Osadchuk, V. V. Martyniuk // Materialy VII Miedzynarodowej naukowi-praktycznej konferencji «Naukowa mysl informacyjnej powieki – 2011» – Sp. z.o.o. «Nauka i studia». – 2011. – S. 38–42.
4. Syntez i vlastyvosti heterometalevykh koordynatsiinykh spoluk kuprumu(II), nikolu(II) abo kobaltu(II) i luzhnozemelnykh elementiv z N, N-bis(salitsyliden)semykarbazydom / [A. P. Ranskyi, M. V. Yevsieieva, T. I. Panchenko, O. A. Hordiienko] // Ukr. khim. zhurn. – 2013. – T. 79, № 2. – 74–79.
5. Panchenko T. Copper(II) and nickel(II) with N,N-bis(salicylidene) thiosemicarbazide heterometal complex compounds / T. Panchenko, M. Evseeva, A. Ranskiy // J. Chem. & Chem. Technology. – 2014. – 8, № 3. – R. 243–248.
6. Geterometallicheskie (lantanoid ili ittrij, r- ili d-element) soderzhashie N, N’-etilen-bis-salicilideniminaty / M. Samus, I.V. Horoshun, I. V. Sinica, M. V. Gandzij // Koord. himiya.– 1993. – T. 19, № 9. – S. 729–732.
7. Samus N. M. Geterometallicheskie µ-alkokso(med, vismut) soderzhashie acetilacetonaty / N. M. Samus, V. I. Capkov, M.V. Gandzij // Zhurnal obshej – 1993. – T. 63, № 1. – S. 177–182.
8. Osadchuk V. S. Mikroelektronnyi peretvoriuvach mahnitnoi induktsii z chastotnym vykhodom / V. S. Osadchuk, O. V. Osadchuk, V. V. Martyniuk, P. Stovbchata // Visnyk Vinnytskoho politekhnichnoho instytutu. – 2011. – № 5. – S. 157–163.